同軸共振器
非破壊で簡単な測定作業を実現
携帯端末の筐体部品、多ピンコネクタのモールド樹脂などの測定に
平坦な面を有するサンプルを共振器の上に置くだけで非破壊の誘電率測定可能。共振器上部の開口部から漏えいするエバネッセント波と呼ばれる近接場を用いる独自技術で実現。


測定対象は均一組成である必要があります。
仕様
測定周波数(1つの共振器で5点) |
Type A |
0.8/2.45/4.2/5.8/7.6 GHz |
Type B |
1/3.1/5.2/7.3/9.4 GHz |
Type C |
2/6.1/10.2/14.3/18.4 GHz |
測定範囲 |
比誘電率(Dk):1~15 誘電正接(Df/tanδ):0.1~0.001 |
測定精度(代表値) |
比誘電率(Dk):±1% 誘電正接(Df/tanδ):±5% |
サンプル形状 |
厚さ 0.5 mm以上、10 mm×10 mm以上の平坦・平滑な面が必要 |
※本装置は、AET社と東京大学大学院総合文化研究科 前田研究室との産学協同開発として川崎市より認定された事業の成果です。特許取得 第3691812号