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Device Catalogs

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アンリツ株式会社　センシング＆デバイスカンパニー　営業部

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光デバイス

SLD光源（スーパールミネッセントダイオード）

カテゴリ	形名	パッケージ形状	光出力 [mW]	中心波長 [nm]	スペクトル幅 [nm]
0.8 µm SLD	AS8K215GY30M	CAN	5	830	15
	AS8E210GP30M	円筒	1	830	15
	AS8B115G	バタフライ	5	830	14
	AS8B115L	バタフライ	5	840	50
1.31 µm SLD	AS3E113HJ10M	円筒	3	1310	53
1.31 µm SLD	AS3B119GM10M	バタフライ	15	1310	55
1.55 µm SLD	AS5B310KM50M	バタフライ	3 typ. IF=200 ｍA	1550	60 typ. IF=200 ｍA
1.55 µm SLD	AS5B320EM50M	バタフライ	25 typ. IF=500 ｍA	1550	55 typ. IF=500 ｍA
1.65 µm SLD	AS6B118GM50M	バタフライ	10	1650	70

ドライブ回路付きSLDユニット

カテゴリ	形名	パッケージ	光出力 [mW]	中心波長 [nm]	スペクトル幅 [nm]
0.84 µm SLD NEW	AM8P4005SL45C	ドライブ回路内蔵	5.5 max.	840	45 min.
0.88 µm SLD	AM8P8006SL45G	ドライブ回路内蔵	7 max.	880	50

波長掃引光源（Wavelength Swept Light Source）

カテゴリ	形名	発振モード	中心波長 ※ [nm]	波長掃引幅 [nm]	掃引周波数 [Hz] typ.	光出力 [dBm]
ベンチトップ	AQA5500P	縦単一位相連続	1550	110（30～110で調整可能）	1250	≧ 10 dBm
ベンチトップ	AQB5500P	縦単一位相連続	1550	70（15～70で調整可能）	150	≧ 10 dBm
ビルトインユニット	AQA5500D	縦単一位相連続	1550	110（30～110で調整可能）	1250	≧ 10 dBm
ビルトインユニット	AQB5500D	縦単一位相連続	1550	70（15～70で調整可能）	150	≧ 10 dBm
モジュール	AQA0600A	縦単一位相連続	1060	30	1250	≧ 10 dBm

Pump LD、ポンプLD（FP-LD、FPレーザーダイオード）

カテゴリ	シリーズ名	パッケージ形状	光出力 [mW]	中心波長 [nm]
1.31 µm FP-LD	AF3B310DM10L	バタフライ	100	1310
1.31 µm FP-LD	AF3B150FM20M	バタフライ	500	1320
1.48 µm FP-LD	AF4Y108GA85J	円筒	80	1478～1490
	AF4Y115HA85J	円筒	150	1450～1490
	AF4B series Type A	バタフライ	120～180	1465～1480
	AF4B series Type B	バタフライ	200～250	1465～1480
	AF4B series Type C	バタフライ	300～400	1465～1480
	AF4B series Type D	バタフライ	410～500	1465～1480
	AF4B series Type E	バタフライ	550～650	1465～1480
	AF4B150FA75LB/FD75LB 低消費電力版	バタフライ	500	1475
1.55 µm FP-LD	AF5B310DM50L	バタフライ	100	1550
1.55 µm FP-LD	AF5B145FM50M	バタフライ	450	1550

FBG付 Pump LD

カテゴリ	シリーズ名	パッケージ形状	光出力 [mW]	中心波長 [nm]	LD温度 [℃]
1.4 µm FBG付FP-LD	AF4B2 series Type GB/GC	バタフライ	300～500	1420～1499 (300～400 mW) 1420～1485 (410～500 mW)	25
1.4 µm FBG付FP-LD	AF4B2 series Type GD 低消費電力版	バタフライ	300～500	1420～1485	35
1.3 µm FBG付FP-LD	AF3B250FU400N	バタフライ	500	1340	25
1.3 µm FBG付FP-LD	AF3B250FU600N	バタフライ	500	1360	25

SOA（半導体光増幅器）

カテゴリ	形名	パッケージ形状	光学利得	偏波依存性
1.3 μm SOA （チップキャリアタイプ）	AA3T115CY	チップキャリアタイプ	Typ. 18 dB	Typ. 1.5 dB
1.3 µm SOA （チップキャリアタイプ） NEW	AA3TB10EY	チップキャリアタイプ	Typ. 10 dB	Typ. 1.5 dB
1.3 μm SOA （チップキャリアタイプ）	AA3T115FYB	チップキャリアタイプ	Typ. 17 dB	Typ. 1 dB

Gain Chip（利得チップ、ゲインチップ）

カテゴリ	形名	パッケージ形状	中心波長 [nm]	垂直端面反射率
O-band 1.3 µm Gain Chip	詳細はお問い合わせください。	COC	1280 to 1340	LR (6%)
O-band 1.3 µm Gain Chip	詳細はお問い合わせください。	COC	1290 to 1350	HR (95%)
E-band 1.4 µm Gain Chip	詳細はお問い合わせください。	COC	1380 to 1440	LR (6%)
E-band 1.4 µm Gain Chip	詳細はお問い合わせください。	COC	1390 to 1450	HR (95%)
S-band 1.4 µm Gain Chip	詳細はお問い合わせください。	COC	1450 to 1510	LR (6%)
S-band 1.4 µm Gain Chip	詳細はお問い合わせください。	COC	1460 to 1520	HR (95%)
C-band 1.5 µm Gain Chip	AE5T310BY10P	COC	1480 to 1540	LR (6%)
C-band 1.5 µm Gain Chip	AE5T315BY20P	COC	1490 to 1550	HR (95%)
CL-band 1.5 µm Gain Chip	AE5T310BY60P	COC	1530 to 1590	LR (6%)
CL-band 1.5 µm Gain Chip	AE5T315BY70P	COC	1540 to 1600	HR (95%)
L-band 1.6 µm Gain Chip	詳細はお問い合わせください。	COC	1570 to 1610	LR (6%)
L-band 1.6 µm Gain Chip	詳細はお問い合わせください。	COC	1580 to 1620	HR (95%)

通信用電子デバイス

ドライバ/アンプモジュール：AH series

形名	品名	特長
AH15203A/B NEW	バイアスティ内蔵広帯域リニアアンプ	対応ボーレート：140 Gbaud、出力振幅：2.0 Vp-p typ.、-6 dB帯域：200 kHz～125 GHz、小信号ゲイン：15.0 dB typ.、バイアスティ内蔵
AH15199B	広帯域リニアアンプ	対応ボーレート：140 Gbaud、出力振幅：2.0 Vpp typ.、-6 dB帯域：200 kHz～135 GHz、小信号ゲイン：15.0 dB typ.
AH54192A	56Gbaud 差動リニアアンプ	56Gbaud、差動出力振幅：4Vp-p(diff)typ.,　帯域：100kHz～40GHz、入出力インターフェース：差動

オプティカルレシーバ：AD44198A

形名	品名	特長
AD44198A	56Gbaud 広帯域OEコンバータ	受光波長範囲 : 1260 to 1620 nm 周波数帯域 : 30 kHz to 45 GHz 量子効率 (Responsivity) : 0.7 A/W 変換利得 (Conversion gain) : 250 V/W 消費電力 : 0.7 W typ. 出力インターフェース : Differential

機能モジュール：Functional Module series

形名	品名	特長
AH64175A	2:1マルチプレクサ	DC-64 Gbit/s、ハーフレートクロック入力、差動出力
AH64176A	1:2デマルチプレクサ	DC-64 Gbit/s、ハーフレートクロック入力、シングルエンドデータ/クロック入力、データ入力感度：<50mVp-p
AH64177A	T-フリップフロップ	周波数範囲：DC～60 GHz、シングルエンド入力、差動出力

1:4パワーデバイダ：AN44182A/AN44187A

形名	品名	特長
AN44187A	低反射型1：4パワーデバイダ	低反射：>15 dB 周波数範囲：DC～40 GHz 挿入損：12 dB typ. チャネル間スキュー：3 ps typ.
AN44182A	1：4パワーデバイダ	周波数範囲：DC～40 GHz 挿入損：12 dB typ. チャネル間スキュー：3 ps typ.

バイアスティ／DCブロッキングキャパシタ：A3N series

形名	品名	特長
A3N1001～1008	バイアスティ	周波数範囲：100 kHz～20 GHz Imax=0.5A Kコネクタ付金属パッケージ
A3N1021～1023	DCブロッキングキャパシタ	周波数範囲：8 kHz～25 GHz Kコネクタ付金属パッケージ

関連リンク

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