Japan
ゲインチップに関してお客様からよくある質問をFAQとしてまとめました。
Gain ChipとBOAの活性層構造は同じですか。
活性層構造は基本的に同じですが、導波路構造には違いがあります。Gain Chipは曲がり導波路構造、BOAは斜め導波路構造を採用しています。
利得ピークや帯域幅はASEスペクトルと一致しますか。
基本的には利得ピークや帯域幅はASEスペクトルと一定の相関はありますが、厳密には一致しません。利得ピークはASEピークより長波側になることが一般的です。
C+L-band用はC-band用やL-band用より広い帯域をカバーするのでしょうか?
C+L-bandは帯域が広いわけではなく、C-bandとL-bandの中間の波長領域をカバーするように波長を調整したものとなります。
Wall Plug Efficiencyはどのくらいですか。
電力変換効率を意味するウォールプラグ効率は外部共振時の電流-光出力の特性から算出するため、使用条件に依存します。当社の実験例では15%程度と見積もることができます。
動作温度は高くなると素子特性はどのように変化しますか。
温度が高くなるにつれて利得ピーク波長が長波長化するとともに、利得が低下します。
光の出射角度は何度ですか?
端面の垂線に対しておおよそ20度となります。
供給形態はサブマウント型のほか、チップ単体など他の形態も可能ですか。
標準品はサブマウント実装となりますが、お客様の要望に合わせてTOパッケージや異なるキャリアへの実装、気密封止を考慮したパッケージ化も検討できます。ベアチップについての対応もあわせ詳細は当社営業にご相談ください。
波長掃引時に発生するモードホップを防ぐ方法はありますか。
電流やチップ温度を変えることによりチップの光学長を調整し、モードホップを制御することが可能です。
光デバイス (4) ~各個別デバイスの進歩2~