超高速電子デバイス製品ができるまで

超高速電子デバイス製品は、設計～製造、出荷検査までの多くのプロセスが自社内で行われます。今回は、製造プロセスにスポットをあててご紹介します。

当社では、化合物半導体であるGaAs（ガリウムヒ素）またはInP（インジウムリン）をベースとした超高速MMIC（モノリシック・マイクロ波集積回路）を専用のクリーンルームで製造しています。

製造プロセスの概要

① 微細パターン形成

MMICの高速性を確保するために必要な微細パターンは、ステッパ（縮小投影露光機）を用いたフォトリソグラフィー技術により形成します。

② パターン加工

フォトリソグラフィーにより形成した微細レジストパターンを用いて、絶縁膜、金属膜などを必要な形状に加工します。

このようなプロセスを数十回繰り返し、能動素子であるトランジスタとパッシブ素子である抵抗体、MIM（Metal Insulator Metal）キャパシタなどとこれらを接続する配線を形成することにより、ウエハ上に超高速MMICを作製します。

③ 研磨、裏面加工、ウエハ検査、ダイシング、個別検査等を経て、ICチップが出来上がります。

④ モジュール実装、特性検査、出荷

自動ダイボンディング装置、自動ワイヤボンディング装置などを用いて、チップ化したICと周辺部品を専用パッケージに実装し、扱いやすいモジュールの形に組み上げます。その後、アンリツの最新計測器等を用いて、高周波特性などの厳密な特性検査を行い、合格した製品をお客様に納入します。

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