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광전자공학(O/E)은 광자와 고속 전자공학을 결합하여 마이크로파에서 테라헤르츠 주파수까지의 신호를 생성, 전송 및 처리하는 기술로, 오늘날 고속 설계에서 그 중요성이 더욱 커지고 있다. O/E 소자는 5G 및 IoT 시스템과 네트워크의 필수 요소이며, 6G R&D의 핵심 요소이다. 그 이유는 무엇일까? O/E 소자는 거의 무제한적인 대역폭, 낮은 손실, 낮은 간섭, 단거리 및 장거리 커버리지, 낮은 전력 소모, 그리고 고대역폭 데이터 전송 및 고속 상호연결을 위한 고속 데이터 전송 기능을 제공하기 때문이다.

O/E 소자를 새롭게 부상하는 고속 복합 설계에 통합하기 위해 소자는 매우 소형화되었다. 점점 더 많은 O/E 소자가 단일 웨이퍼에 탑재되고 있기 때문에 소형화는 필수적이다. 또한, 수신 광 서브 어셈블리(ROSA), 전송 광 서브 어셈블리(TOSA), 양방향 광 서브 어셈블리(BOSA)도 웨이퍼에 패키징됨에 따라 설계는 웨이퍼 상에 훨씬 더 복잡한 구조를 통합하고 있다. 그 결과, 실리콘 포토닉스(SiPh) 설계에서 광학과 전자 기술이 서로 더욱 가까워지고 있다. 이 두 영역이 작은 CMOS 칩에 통합됨에 따라 성능 검증이 더욱 어려워지고 있다.

새로운 사용 사례

O/E는 저위상 잡음 O/E 발진기, 반송파 포락선 위상 고정 레이저, 광자 기반 복합 레이더 신호 생성기, 위상 배열 안테나 아키텍처, 광자 아날로그-디지털 변환기, 전기광 샘플링, 테라헤르츠 신호 생성 등 다양한 응용 분야에서 사용된다. 이러한 응용 분야 중 다수는 새로운 사용 사례에서 사용되고 있으며, 몇 가지 예는 표 1에 나와 있다.

5G backhaul High-speed data centers
Automotive radar Materials imaging
Healthcare Quantum computing

Table 1: Use cases utilizing O/E technology

O/E 소자 테스트 및 검증

소자 기술이 O/E 컨버터를 광 변조기 등에 통합함에 따라, 제조업체는 칩 엔지니어가 SiPh 설계를 테스트하고 개선할 수 있는 적절한 플랫폼을 개발해야 한다. 복잡성이 증가하고 크기가 작아짐에 따라, 성능을 정확하고 반복적으로 검증하기 위한 견고한 테스트 프로세스가 필요하다.

설계에 고주파가 포함됨에 따라 위상 측정의 중요성이 더욱 커지고 있다. 파장이 짧아짐에 따라, O/E 소자 검증을 위한 모든 테스트 솔루션에서 벡터 네트워크 분석기(VNA)가 핵심적인 역할을 한다. TOSA, ROSA, BOSA 및 온웨이퍼 SipH 소자와 같은 소자를 테스트하고 특성화하기 위해 광전자 VNA는 마이크로파 광대역 주파수 범위를 지원해야 한다.

VNA의 주요 이점 중 하나는 S-파라미터 형태로 진폭 및 위상 특성을 측정한다는 것이다. 이러한 기능은 특히 고속 설계에서 광파 성분 분석기(LCA)가 측정을 수행하는 방식과 비교할 때 뚜렷한 이점을 제공한다. 위상 제어 또는 측정 시 발생하는 작은 오류도 오류로 이어질 수 있으므로, 적절한 VNA 선택은 설계 신뢰도를 확보하는 데 매우 중요하다.

정확한 장치 특성 분석을 위해서는 VNA가 DC 근처부터 150GHz를 훨씬 넘는 광대역 스윕을 수행해야 한다. 이를 통해 3차 및 5차 고조파까지 측정할 때 정확도와 반복성이 향상된다. 특히 장시간 측정이 필요한 O/E 검증의 경우 더욱 그렇다.

완벽한 O/E 테스트 솔루션은 광 변조기(애플리케이션에 따라 레이저 광원을 사용하는 경우도 있음)와 기준 광검출기를 갖춘 VNA로 구성된다. 추적성은 매우 중요하며 주파수가 높아질수록 더욱 어려워진다. 모듈은 NIST 표준에 따라 특성 분석되어야 합니다. 또한, 수동성 및 인과 관계 오류를 방지하기 위해 디임베딩(de-embedding)도 중요하다.