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K250/V250 bias tee

バイアス T

K250/V250
この製品は製造中止となっております。
概要

これらのバイアス T は、DC と RF の両信号を被試験デバイスに印加する必要のある用途に設計されています。これらは特に能動素子の測定に適しています。RF 性能にほとんど影響は与えずに、0.5A で最大 30V までの直流電圧を被試験デバイスに印加できます。RF スルーライン損失が低く (<1dB)、リターンロスが高いため、60GHz までの測定にはほとんど影響しません。RF 入力の DC ブロックは、印加されたバイアス電圧から入力ポートを絶縁します。

  • 0.1GHz~60GHz の広帯域周波数をカバー
  • 低 SWR、低挿入損失
  • K コネクタ® および V コネクタ® を用意
規格

 

形名 K250 V250
周波数範囲 0.1~40GHz* 0.1~60GHz*
挿入損失 1.2dB(代表値) 2.2dB(代表値)
リターンロス 最小 15dB (20GHz まで)
最小 10dB (40GHz まで)
最小 13dB (20GHz まで)
最小 9dB (40GHz まで)
最小 8dB (60GHz まで)
RF 電力 最大 1W 最大 1W
DC 電圧 最大 30V 最大 30V
DC 電流 0.5A 0.5A
DC ポートの分離 20dB (0.1GHz)
40dB (0.5GHz)
20dB (0.1GHz)
40dB (0.5GHz 以上)
RF コネクタ 入力: K (m)
出力: K (f)
入力: K (m)
出力: V (f)
DC コネクタ SMC (m) SMC (m)

             *: 0.04GHz~0.1GHz では性能は低下するが使用可

             温度範囲: 0~+70°C

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